雙靶磁控濺射儀

1、引言

雙靶磁控濺射儀是新研制開發(fā)的鍍膜設備，可用于制備單層或多層鐵電薄膜、導電薄膜、合金薄膜、半導體薄膜、陶瓷薄膜、介質薄膜、光學薄膜、氧化物薄膜、硬質薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。與同類設備相比，其不僅應用廣泛，且具有體積小便于操作的優(yōu)點,是一款實驗室制備材料薄膜的理想設備。

配置兩個靶槍，一個為配套射頻電源用于非導電靶材的濺射鍍膜，一個為配套直流電源用于導電類材料的濺射鍍膜;可制備多種薄膜，應用廣泛;體積小，操作簡便。

2、主要技術指標

電源：220V 50Hz

大功率：<560W（不含真空泵）

極限真空度：< E-6mbar（配合本公司設備使用可達到E-5mbar）

工作溫度：RT-500℃，精度±1℃（可根據(jù)實際需要提升溫度）

靶槍數(shù)量：2個（可選配其他數(shù)量）

靶槍冷卻方式：水冷

靶材尺寸：?2″，厚度0.1-5mm（因靶材材質不同厚度有所不同）

直流濺射功率：500W（可選）

射頻濺射功率：300W/500W（可選）

載樣臺：?140mm

載樣臺轉速：1rpm-20rpm內可調

保護氣體：Ar、N2等惰性氣體

進氣氣路：質量流量計控制2路進氣，每個流量為100SCCM

尺寸：500mm×560mm×660mm

整機尺寸：1300mm×660mm×1200mm

重量：160kg

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